中国の2025年度国家科学技術賞、ディスプレイ分野で5件の重要課題を選定

日付：2026年7月15日

中国国務院が7月8日に北京で発表した2025年度国家科学技術賞では、BOEとVisionoxをはじめとするディスプレイ中核企業が相次いで受賞し、中国ディスプレイ産業の技術開発の重心がどこへ向かっているのかを鮮明に示した。今回の表彰では、全258件のプロジェクトと11人の科学技術専門家が対象となったが、このうちUBIリサーチの分析では、ディスプレイと直接関係する主要テーマとして5件が確認された。内訳は、製造装置、バックプレーン、OLED精密加工に関する3件と、LEDおよびMicro LEDへ拡張可能な発光素子基盤技術に関する2件である。ここで注目すべきなのは、中国の技術政策がもはや単純なパネル生産能力拡大にとどまらず、核心製造装置、TFTバックプレーン、超精密加工、さらには化合物半導体基板と素子構造にまで広がっている点にある。

中国ディスプレイ産業はパネル増産から中核技術自立へ軸足を移した

今回の受賞結果の中で、まず象徴的なのが「高解像度・大面積ディスプレイ製造装置の国産化と産業化」に関する国家科学技術進歩賞二等賞である。この課題では、上海大学、SMEE、Hefei Xinyihua Intelligent Machine、BOE、Tianma、昆山のVisionox系企業、SeeYA Technologyなどが参加し、新型ディスプレイ向けの高解像度・大面積製造に必要な中核技術と製造装置を共同開発し、実際の生産ラインへ適用した成果が評価された。これは、中国ディスプレイ産業の競争軸が、従来のパネル生産能力競争から、露光、パターニング、自動化製造装置の国産化と工程技術の内製化へ移っていることを示す。BOE、Tianma、Visionox系企業、SeeYAがそろって参加している点からも、LCDだけでなく、有機ELや次世代ディスプレイへ展開可能な供給網基盤を、中国が体系的に整えつつあることが読み取れる。

もう一つの重要受賞は、「スマートディスプレイ向け先端酸化物半導体技術研究および産業化応用」に関する国家科学技術進歩賞二等賞である。このプロジェクトには、BOE、成都BOE Display Technology、中山大学、清華大学、上海交通大学、北京大学、中国科学院微電子研究所が参加した。大学と国策研究機関が持つ材料・素子研究能力と、BOEの工程・量産能力を組み合わせた産学研連携の典型例といえる。酸化物半導体は、高電子移動度、低リーク電流、大面積均一性という特長から、LCDだけでなく、ノートPC、タブレット、モニター向けIT OLEDの核心TFTバックプレーン技術として戦略的重要性を増している。特に8.6世代IT OLEDでは、大面積基板での均一性、歩留まり、投資効率が一段と重視されるため、酸化物TFTの価値は今後さらに高まるとみられる。

OLED精密加工とMicro LED基盤技術でも中国の内製化が前進している

国家技術発明賞二等賞として選ばれた「フェムト秒レーザー電子動的制御微細加工技術および応用」は、北京理工大学、Shenzhen Han’s Semiconductor Equipment Technology、中国船舶集団第707研究所、Visionox系のGuangzhou Govisionox Technologyが参加した課題である。この技術は、10のマイナス15乗秒レベルの超短パルスを利用し、加工中の電子挙動とエネルギー伝達を精密制御することで、材料損傷を抑えながら超精密加工を実現するものだ。フレキシブルディスプレイ向けOLEDモジュールの精密切断や、カメラ・センサー開口部用の微細ホール加工に適用され、超狭額縁化、加工品質向上、量産歩留まり改善に寄与したと評価されている。関連機関はすでに複数の主流端末製品に量産適用されたとしており、中国のディスプレイ製造装置国産化が、前工程だけでなくOLEDモジュール後工程の超精密加工分野にまで拡大していることを示している。

LEDおよびMicro LEDの分野では、「GaNベース発光素子向け核心基板技術」が国家技術発明賞二等賞を受賞した。参加機関は北京大学、Dongguan Zhongjia Semiconductor、Guangdong Zhongtu Semiconductor、NAURA、松山湖材料実験室である。この課題では、GaN基板の結晶品質、波長均一性、発光効率、生産歩留まりを改善し、高効率かつ高信頼性のGaN発光素子を安定製造できる基盤を確立した点が評価された。Micro LEDではチップサイズが小さくなるほど、ウエハー内の欠陥や特性ばらつきの影響が大きくなるため、高品質基板とエピタキシャル基盤技術の重要性は一段と高まる。したがって、この受賞は単なるLED材料技術の前進ではなく、将来のMicro LED性能と量産性を支える土台づくりとしての意味を持つ。

さらに、国家自然科学賞一等賞には、南昌大学による「V-defect三次元PN接合および応用」が選ばれた。この基礎研究は、V-defectを利用した三次元PN接合構造によって、窒化物系LEDの電流注入と電子・正孔再結合特性を改善できることを示したものであり、高効率LEDやMicro LEDの素子構造へ発展する可能性を持つ。これは短期的な量産成果というより、中国が発光素子分野で基礎理論から原理技術を押さえようとしていることを示す受賞であり、量産技術と並行して基礎研究にも政策的比重が置かれていることが分かる。

BOEを軸に中国ディスプレイの自立型バリューチェーンが完成段階へ近づく

UBIリサーチは、今回の受賞結果を中国ディスプレイ産業の技術開発方向を示す明確な指標と分析している。とりわけBOEは、高解像度・大面積製造装置プロジェクトと酸化物半導体プロジェクトの両方に参加しており、中国ディスプレイ技術開発と産業化の中核的存在であることを改めて確認させた。また、SMEE、Xinyihua、NAURAなど製造装置企業の参加は、中国がパネル生産だけでなく、核心製造装置まで含めて供給網自立の範囲を広げていることを意味する。ディスプレイ分野でも、市場支配力を持つ民間企業が産学協力を通じて海外依存度を下げる国産代替技術プロジェクトに表彰が集中しており、中国ディスプレイのバリューチェーン自立が、基礎理論、源泉技術、量産、製造装置の全領域で完成段階へ近づいていることを示唆している。

今回の国家科学技術賞は、中国ディスプレイ産業が単に「たくさん作る国」から、「核心技術を自前で持つ国」へ移行しつつあることを象徴する出来事といえる。今後の競争は、パネル出荷量や価格競争だけでなく、露光技術、酸化物TFT、精密レーザー加工、GaN基板、Micro LED素子構造といった基盤技術をどこまで内製化し、商用化へ結び付けられるかで決まっていく。今回の受賞5課題は、その転換の最前線を端的に示している。